TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB

Punteggio complessivo
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Punteggio complessivo
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Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB

Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB

Differenze

  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    870.4 left arrow 5.4
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    41 left arrow 87
    Intorno -112% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    8.2 left arrow 3
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 5300
    Intorno 3.62 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    87 left arrow 41
  • Velocità di lettura, GB/s
    3,155.6 left arrow 8.2
  • Velocità di scrittura, GB/s
    870.4 left arrow 5.4
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    417 left arrow 1704
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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