Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Note globale
star star star star star
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB

Note globale
star star star star star
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    15.8 left arrow 15.5
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    38 left arrow 49
    Autour de -29% latence réduite
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    12.0 left arrow 11.0
    Valeur moyenne dans les tests

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    49 left arrow 38
  • Vitesse de lecture, GB/s
    15.8 left arrow 15.5
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    11.0 left arrow 12.0
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    25600 left arrow 25600
Other
  • Description
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Timings / Vitesse d'horloge
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2534 left arrow 2283
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons