RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Note globale
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
51
60
Autour de 15% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
11.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
60
Vitesse de lecture, GB/s
15.8
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
25600
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2570
2359
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link