RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
60
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
60
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2570
2359
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link