RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
51
Autour de -65% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
31
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
3168
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link