RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Comparez
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Note globale
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
42
Autour de -35% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
31
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2326
3100
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB Comparaison des RAM
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Smart Modular SH564568FH8N6PHSFG 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link