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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Razões a considerar
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
42
Por volta de -35% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
9.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
31
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.4
12.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2326
3100
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB Comparações de RAM
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
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