RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
42
Rund um -35% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
12.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2326
3100
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB RAM-Vergleiche
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link