RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
51
Autour de -70% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
30
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
2688
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link