RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
51
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
30
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2688
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link