RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
51
Autour de -122% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
23
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
2938
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Kingston HP691160-H66-MCN 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link