RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
51
Wokół strony -122% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
23
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2938
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link