RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
51
Autour de -104% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
25
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
13.7
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
2792
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link