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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
比较
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
10.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
51
左右 -104% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
25
读取速度,GB/s
15.6
13.7
写入速度,GB/s
11.8
10.2
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2687
2792
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
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