RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
51
Autour de -70% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
30
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
3279
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kllisre 0000 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link