Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Note globale
star star star star star
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Note globale
star star star star star
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    4 left arrow 20.4
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    18 left arrow 59
    Autour de -228% latence réduite
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    17.2 left arrow 1,855.7
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    19200 left arrow 5300
    Autour de 3.62 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    59 left arrow 18
  • Vitesse de lecture, GB/s
    4,168.0 left arrow 20.4
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    1,855.7 left arrow 17.2
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • Description
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Vitesse d'horloge
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    680 left arrow 3814
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons