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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Comparez
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Note globale
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Différences
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Raisons de considérer
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
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Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
31
Autour de -15% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.5
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.3
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
31
27
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
11.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1990
2430
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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