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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Pontuação geral
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
31
Por volta de -15% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.5
11.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.3
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
31
27
Velocidade de leitura, GB/s
11.7
13.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
11.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1990
2430
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB Comparações de RAM
Strontium EVMT8G1333U86S 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB Comparações de RAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingmax Semiconductor FLGG45F-E8K3B 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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