RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Compara
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Puntuación global
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
31
En -15% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.5
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
31
27
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1990
2430
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Strontium EVMT8G1333U86S 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingmax Semiconductor FLGG45F-E8K3B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link