RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Сравнить
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
-->
Средняя оценка
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
20.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
59
Около -228% меньшая задержка
Выше скорость записи
17.2
1,855.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
18
Скорость чтения, Гб/сек
4,168.0
20.4
Скорость записи, Гб/сек
1,855.7
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
680
3814
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link