RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
51
Autour de -132% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.1
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.7
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
22
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
19.1
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
14.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
3509
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link