RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Comparez
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Note globale
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
73
Autour de -232% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.2
1,423.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
22
Vitesse de lecture, GB/s
3,510.5
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,423.3
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
476
3392
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link