RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
73
Wokół strony -232% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3392
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link