RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
73
Wokół strony -232% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3392
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
INTENSO M418039 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link