RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
59
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3332
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link