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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
59
左右 -97% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
30
读取速度,GB/s
4,833.8
14.9
写入速度,GB/s
2,123.3
14.2
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3332
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
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G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
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G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston KVR533D2N4 512MB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
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