RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
32
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
16
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2945
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link