RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
32
Por volta de 25% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
11.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.3
16
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
32
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
16.3
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
11.7
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2945
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link