RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
7.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
51
Autour de -82% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
28
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
7.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
1728
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link