RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Comparez
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Note globale
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Note globale
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
27
Autour de -17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.1
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.0
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR5
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
23
Vitesse de lecture, GB/s
15.7
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
13.9
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
21300
Other
Description
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3576
3317
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB Comparaison des RAM
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link