RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Porównaj
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Wynik ogólny
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
27
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
13.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR5
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
23
Prędkość odczytu, GB/s
15.7
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
13.9
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3576
3317
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link