RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
51
Autour de -65% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
31
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
2901
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link