RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
51
Autour de -132% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
22
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
10.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
2706
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link