RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
51
Autour de -122% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.1
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
23
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
3125
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link