RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
51
Около -122% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
23
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
18.1
Скорость записи, Гб/сек
11.8
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3125
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link