RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
51
Autour de -132% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
22
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
3188
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link