RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
51
Wokół strony -132% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
22
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3188
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link