RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
51
Autour de -76% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.4
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
29
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
14.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
3457
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF556C40-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Samsung M393B2K70DMB-YH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link