RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
49
Autour de -88% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
23.1
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
19.0
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
26
Vitesse de lecture, GB/s
10.2
23.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
19.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2465
4276
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link