RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
49
Intorno -88% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
23.1
10.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
19.0
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
26
Velocità di lettura, GB/s
10.2
23.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
19.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2465
4276
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link