RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
49
Intorno -88% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
23.1
10.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
19.0
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
26
Velocità di lettura, GB/s
10.2
23.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
19.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2465
4276
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link