RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
51
Autour de -155% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.6
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.5
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
20
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
19.6
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
3234
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB Comparaison des RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link