RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
51
Autour de -155% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.2
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.3
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
20
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
19.2
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
15.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
3429
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link