RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
51
Около -155% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.2
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
20
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
19.2
Скорость записи, Гб/сек
11.8
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3429
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link