RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
51
Autour de -59% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.5
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.5
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
32
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
20.5
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
3672
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link