RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Jinyu 16GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Jinyu 16GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Jinyu 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Jinyu 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
51
Autour de -143% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Jinyu 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
21
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
3209
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Jinyu 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Jinyu 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link