RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
10.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
51
Autour de -59% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
32
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
2801
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link