RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
10.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
51
Autour de -76% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
29
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
10.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
2475
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Kingmax Semiconductor FSFF65F-C8KL9 4GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link