RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
51
Autour de -96% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
26
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
2833
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link