RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
51
75
Autour de 32% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
7.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
75
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
7.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
1457
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB Comparaison des RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link