RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
75
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
75
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
1457
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link