RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
51
52
Autour de 2% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
10.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
52
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
10.5
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
2236
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
A-DATA Technology DDR3 1600X 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link